Neue Leaks, die am 10. Februar über die Xianyu-Plattform (User @忙忙的灯草) aufgetaucht sind, haben das Verpackungsdesign für den kommenden Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro (SM8975) enthüllt. Die durchgesickerten Skizzen zeigen, dass das Wärmemanagement mit Samsungs HPB-Technologie deutlich verbessert wurde und die nächste Generation von Arbeitsspeicher- und Speicherstandards unterstützt wird.
Fortschrittliche thermische Architektur
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Die Innovation: Das Design beinhaltet Samsungs HPB (Heat Path Block)-Technologie, bei der ein Kühlblech direkt auf der Oberseite des Chipgehäuses integriert ist.
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Das gelöste Problem: Dies ersetzt die herkömmliche Stapelung, bei der der DRAM wie eine „Decke“ auf dem SoC sitzt, was bisher die Wärme einschloss und die Leistung behinderte.
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Das Leistungsziel: Diese thermische Lösung soll dem Chip helfen, eine extrem hohe Frequenz von 5,00 GHz zu erreichen, ohne an thermische Grenzen zu stoßen, indem sie dem Kern die nötige „Luft zum Atmen“ gibt.
Arbeitsspeicher & Speicher der nächsten Generation
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Speicherunterstützung: Der SM8975 verfügt über eine fortschrittliche Package-on-Package-Technologie und unterstützt sowohl 4 x 24-Bit-LPDDR6- als auch 4 x 16-Bit-LPDDR5X-Speicherkonfigurationen.
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Speicherstandard: Das Leck bestätigt die Unterstützung des Dual-Channel UFS 5.0-Standards, der deutlich schnellere Datenübertragungsraten verspricht.
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Die Flexibilität: Diese doppelte Kompatibilität ermöglicht es den Herstellerpartnern, die Konfigurationen je nach Kosten- und Leistungsbedarf anzupassen und sowohl Spitzen- als auch Standard-Flaggschiff-Konfigurationen zu unterstützen.
Modellvergleiche & Kontext
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Standard vs. Pro: Während das SM8975 (Elite Pro) die Grenzen überschreitet, wird das Standardmodell SM8950 als „ziemlich gewöhnlich“ beschrieben und unterstützt nur Standard-LPDDR5.
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Beschränkungen des Prototyps: Der QRD8950 (Referenzdesign) verfügt Berichten zufolge nur über eine SKU und eine 1-Sekunden-Stromversorgung, was den großen Unterschied zwischen den Standard-Testgeräten und der „Pro“-Version für Verbraucher deutlich macht.
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Die Zeitleiste: Dieses Leck ist der erste Blick auf das Gehäuse der sechsten Generation und signalisiert einen großen Sprung in der Art und Weise, wie Qualcomm die Hitze in zukünftigen mobilen Hochleistungs-Siliziumbausteinen managen will.

Emir Bardakçı

